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IRF7555TRPBF中文资料

IRF7555TRPBF图片

IRF7555TRPBF外观图

  • 大小:122.6KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current, Id:-4.3A; Package/Case:Micro8; Power Dissipation, Pd:1.25W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:-3.4A ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 4.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1066pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7555TRPBF-NDIRF7555TRPBFTR

IRF7555TRPBF供应商

更新时间:2023-01-07 03:35:36
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